記者/周玲
8月3日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長江存儲(chǔ)）在2022年閃存峰會(huì)（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧（Xtacking）3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領(lǐng)域的多樣化應(yīng)用帶來新的機(jī)遇。
長江存儲(chǔ)推出第四代TLC三維閃存X3-9070
據(jù)知情人士消息，長江存儲(chǔ)第四代產(chǎn)品堆疊層數(shù)已達(dá)232層，比肩國際一線大廠。
長江存儲(chǔ)稱，相較上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲(chǔ)密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設(shè)計(jì)，性能提升的同時(shí)功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品潛能。
據(jù)介紹，新品在性能上實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升；密度上得益于晶棧3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲(chǔ)容量；在提升系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品體驗(yàn)上，得益于創(chuàng)新的 6-plane設(shè)計(jì)，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時(shí)功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。
長江存儲(chǔ)執(zhí)行副總裁陳軼表示：“X3-9070閃存顆粒擁有出色的性能表現(xiàn)和極高的存儲(chǔ)密度，能夠快速高效地應(yīng)用于主流商用場景之中。面對蓬勃發(fā)展的5G、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、人工智能等新技術(shù)帶來的全新需求和挑戰(zhàn)，長江存儲(chǔ)將始終以晶棧為基點(diǎn)，不斷開發(fā)更多高品質(zhì)閃存產(chǎn)品，協(xié)同上下游存儲(chǔ)合作伙伴，用晶棧為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)賦能。”
長江存儲(chǔ)在2018年推出晶棧（Xtacking）架構(gòu)技術(shù)，經(jīng)歷了晶棧從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長江存儲(chǔ)在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，并基于晶棧技術(shù)成功打造了多款長江存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動(dòng)通信和其他嵌入式應(yīng)用的eMMC、UFS等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。
全球存儲(chǔ)巨頭最近紛紛推出了200層以上的新品。日前，美光正式官宣推出了232層TLC閃存顆粒，并稱這是業(yè)內(nèi)密度最高、尺寸最小的TLC閃存顆粒，其能效比相比上一代更佳，可以為用戶帶來更好的性能體驗(yàn)。
8月3日，韓國SK海力士也對外表示已經(jīng)開發(fā)出238層NAND閃存產(chǎn)品，預(yù)計(jì)近期將向客戶發(fā)貨樣品。預(yù)計(jì)公司將在2023年上半年大規(guī)模投產(chǎn)238層512Gb 4D NAND產(chǎn)品，相比176層NAND產(chǎn)品，新款NAND的生產(chǎn)力/性能已經(jīng)提高37%。
長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總部位于武漢， 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。